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STS12NH3LL

N-CHANNEL 30 V - 0.008 ??- 12 A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET??MOSFET

DESCRIPTION The STS12NH3LL is based on the latest generation of ST’s proprietary “STripFET™” technology. An innovative layout enables the device to also exhibit extremely low gate charge for the most demanding requirements as high-side switch in highfrequency DC-DC converters. It’s therefore idea

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STS12NH3LL

N-channel 30V - 0.008ohm - 12A - SO-8 Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET

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意法半导体

STS12NH3LL

N-channel 30 V - 0.008 廓 - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET??Power MOSFET

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意法半导体

STS12NH3LL_06

N-channel 30V - 0.008ohm - 12A - SO-8 Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET

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意法半导体

STS12NH3LL_07

N-channel 30 V - 0.008 廓 - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET??Power MOSFET

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意法半导体

STS12NH3LL

N-CHANNEL 30 V - 0.008 Ω - 12 A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET™ MOSFET

ST

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STS12NH3LL

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30 Volt 12 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STS12NH3LL供应商 更新时间2025-12-1 16:04:00