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STS1DN45K3	文件：443.56 Kbytes Page：10 Pages	Low gate input resistance 文件：443.56 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS1DN45K3	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC	ST 意法半导体	ST
STS1NC60	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ST 上传：深圳市众芯源半导体有限公司	ST
STS2DNF30L	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	ST 上传：深圳市昊创电子有限公司	ST
STS7C4F30L	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ST 上传：深圳市众芯源半导体有限公司	ST

技术参数

FET 功能：
标准
漏源电压（Vdss）：
450V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
3.8 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
150pF @ 25V
功率 - 最大值：
1.3W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154\，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO

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更多STS1DN45K3供应商更新时间2025-11-23 14:06:00

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