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STS1DN45K3数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STS1DN45K3

功能描述

MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-11 22:51:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :STS1DN45K3

  • 生产厂家

    :ST

  • FET 功能

    :标准

  • 漏源电压(Vdss)

    :450V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :500mA

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :3.8 欧姆 @ 500mA,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :4.5V @ 50µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :6nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :150pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    :1.3W

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-SOIC(0.154\,3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :8-SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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