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STS01DTP06	文件：298.83 Kbytes Page：8 Pages	DUAL NPN-PNP COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR DESCRIPTION The STS01DTP06 is a Hybrid dual NPN-PNP complementary power bipolar transistor manufactured by using the latest low voltage planar technology. The STS01DTP06 is housed in dual island SO-8 package with separated terminals for higher assembly flexibility, specifically recommended to be 文件：298.83 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS01DTP06	文件：306.24 Kbytes Page：11 Pages	Dual NPN-PNP complementary Bipolar transistor 文件：306.24 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS01DTP06	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL NPN-PNP COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
STS01DTP06	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS01DTP06_06	文件：306.24 Kbytes Page：11 Pages	Dual NPN-PNP complementary Bipolar transistor 文件：306.24 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STS01DTP06
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，2V
功率 - 最大值：
2W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

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