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STS01DTP06分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

STS01DTP06
厂商型号

STS01DTP06

参数属性

STS01DTP06 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

功能描述

Dual NPN-PNP complementary Bipolar transistor
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

306.24 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:34:00

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STS01DTP06规格书详情

STS01DTP06属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由意法半导体集团制造生产的STS01DTP06晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STS01DTP06

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN,PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    3A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    30V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 100mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,2V

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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