600 V power Schottky silicon carbide diode

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600 V power Schottky silicon carbide diode

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计600V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n ST碳化硅（SiC）二极管能在硬开关条件下大幅提升PFC操作的性能。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略\n• 开关行为受温度影响小• 特别适用于PFC升压二极管功能;

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650 V power Schottky silicon carbide diode

Features No or negligible reverse recovery Switching behavior independent oftemperature Dedicated to PFC applications High forward surge capability Operating Tj from -40 °C to 175 °C ECOPACK®2 compliant component Description The SiC diode is an ultra high performance power Schottky

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丝印：PSC8065DY；Package：TO-220AC；Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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650 V 碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容组件;

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Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 符合AEC-Q101标准\n• 无反向恢复，或反向恢复可忽略\n• 开关行为受温度影响小\n• 专为PFC应用设计• 高耐正向浪涌电流能力\n• 具有PPAP功能（符合生产件批准程序）\n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C\n• ECOPACK®2 兼容组件;

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