STPSC8065数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
STPSC8065规格书详情
描述 Description
碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。
ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
特性 Features
• 无反向恢复，或反向恢复可忽略
• 开关行为受温度影响小
• 专为PFC应用设计
• 高耐正向浪涌电流能力
• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C
• ECOPACK®2 兼容组件
简介
STPSC8065属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STPSC8065二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：STPSC8065
- 生产厂家
：ST
- Number of Diodes_spec
：1
- Marketing Status
：Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
：650
- Average Rectified Current_max(A)
：8
- VF_max(V)
：1.45
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)
：8
- Reverse Current_max(mA)
：0.105
- Total capacitive charge(nC)
：28
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
：46
- Junction Temperature_max(°C)
：175
- General Description
：650 V power Schottky silicon carbide diode
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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