STPSC4H065中文资料650 V、4 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管数据手册ST规格书

描述 Description

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

特性 Features

• 在应用电流范围内无反向恢复
• 开关行为受温度影响小
• 高耐正向浪涌电流能力
• 绝缘封装TO-220AC插件：
•Insulated voltage: 2500 V rms
•Typical package capacitance: 7 pF

简介

STPSC4H065属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由ST制造生产的STPSC4H065二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。