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STPSC10H065-Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级650V、10 A TO-220 D2PAK碳化硅功率肖特基二极管碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 符合AEC-Q101标准 \n• 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 具有PPAP功能（符合生产件批准程序） \n• ECOPACK®2 兼容组件;	ST 意法半导体	ST
STPSC10H065-Y	文件：560.13 Kbytes Page：11 Pages	Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：560.13 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065	文件：122.1 Kbytes Page：9 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：122.1 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065B-TR	文件：122.1 Kbytes Page：9 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：122.1 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H065BY-TR	文件：236.18 Kbytes Page：9 Pages	Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：236.18 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Number of Diodes_spec：
1
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
650
Average Rectified Current_max(A)：
10
VF_max(V)：
1.75
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
10
Reverse Current_max(mA)：
0.1
Total capacitive charge(nC)：
28.5
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
90
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
Automotive 650V

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