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SVD640D	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640DTR	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640F	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640S	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640STR	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640T	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF640T	文件：1.8167 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SW640	文件：582.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET [SEMIPOWER] GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedinSAMWINwithadvancedVDMOSprocess,planarstripe.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristic	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SW640	文件：397.58 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery SW640(6V4.0AH)	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY
SW640	文件：391.25 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY

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