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V20120C	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120C	文件：141.74 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：129.93 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：141.04 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：166.5 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
STPS20120CR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
I2PAK
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK

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