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STP8NM50N数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STP8NM50N

功能描述

N沟道500 V、0.73 Ohm、5 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:34:00

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STP8NM50N规格书详情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

特性 Features

• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

技术参数

  • 制造商编号

    :STP8NM50N

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :500

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.79

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :5

  • PTOT_max(W)

    :20

  • Qg_typ(nC)

    :14

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
21+
TO-220F
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TO2203
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