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STP85N3LH5中文资料N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, TO-220; Power MOSFETs数据手册ST规格书
STP85N3LH5规格书详情
描述 Description
This product utilizes the 5th generation of design rules of ST’s proprietary STripFETTMtechnology. The lowest available RDS(on)*Qg, in the standard packages, makes this device suitable for the most demanding DC-DC converter applications, where high power density is to be achieved.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 制造商编号
：STP85N3LH5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0071
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
22 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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ST/意法 |
25+ |
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TO-220 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
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ST |
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TO-220 |
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