STP80PF55数据手册ST中文资料规格书
STP80PF55规格书详情
描述 Description
These Power MOSFETs are the latest development of STMicroelectronics unique \"single feature size\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps allowing remarkable manufacturing reproducibility.
特性 Features
Extremely dv/dt capability
100% avalanche tested
Application oriented characterization
技术参数
- 型号：
STP80PF55
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 55 Volt 80 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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