STP50NE08数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号：
STP50NE08
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 80 Volt 50 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
40290 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-220 |
2987 |
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询价 | ||
VBSEMI |
19+ |
TO-220-3L |
12000 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-220 |
8560 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TOTO-220ABNO |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ADI |
23+ |
TO220ABNONISOL |
8000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
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询价 | ||
VBsemi |
25+ |
TO220 |
6564 |
询价 |
