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STP50N65DM6规格书详情
描述 Description
该高压N沟道MOSFET出自快恢复体二极管MDmesh DM6系列与之前一代的快恢复特性MDmesh相比，DM6兼具超低恢复电荷 (Qrr),恢复时间(trr)并且大幅提升单位面积 RDS(on) 值，具有最高效的开关表现，适用于市面上要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
特性 Features
• 快恢复二极管
• 单位面积的Rds(on)值比上一代更低
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 经过100％雪崩测试
• 极高的dv/dt强度
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STP50N65DM6
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.091
- Drain Current (Dc)_max(A)
：33
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：52.5
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：130
- Qrr_typ(nC)
：650
- Peak Reverse Current_nom(A)
：10
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