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STP50N65DM6中文资料N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package数据手册ST规格书
STP50N65DM6规格书详情
描述 Description
该高压N沟道MOSFET出自快恢复体二极管MDmesh DM6系列与之前一代的快恢复特性MDmesh相比,DM6兼具超低恢复电荷 (Qrr),恢复时间(trr)并且大幅提升单位面积 RDS(on) 值,具有最高效的开关表现,适用于市面上要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
特性 Features
• 快恢复二极管
• 单位面积的Rds(on)值比上一代更低
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 经过100%雪崩测试
• 极高的dv/dt强度
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STP50N65DM6
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.091
- Drain Current (Dc)_max(A)
:33
- PTOT_max(W)
:250
- Qg_typ(nC)
:52.5
- Features
:Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
:130
- Qrr_typ(nC)
:650
- Peak Reverse Current_nom(A)
:10
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
11200 |
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24+ |
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65000 |
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ST |
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TO-220 |
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ST/意法 |
23+ |
TO220ABNONISOL |
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ST |
22+ |
TO2203 |
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24+ |
TO-220 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
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VBsemi |
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TO220 |
6564 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ST |
24+ |
TO-220 |
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