STP4N150中文资料N沟道1500 V、5 Ohm、4 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP4N150规格书详情
描述 Description
Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of very high voltage Power MOSFETs with outstanding performances.
The strengthened layout coupled with the companys proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• High speed switching
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• Creepage distance path is 5.4 mm (typ.) for TO-3PF
• Fully isolated TO-3PF plastic packages
技术参数
- 制造商编号
：STP4N150
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：1500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：7
- Drain Current (Dc)_max(A)
：3.1
- PTOT_max(W)
：160
- Qg_typ(nC)
：35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
32000 |
ST/意法全新特价STP4N150即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
12+ |
TO-220 |
5000 |
原装现货价格有优势量多可发货 |
询价 | ||
1025+0619+ |
TO-220 |
400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
