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STP45N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STP45N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.016
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：22
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
TO-220-3 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
20000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 |
