STP4N80K5中文资料N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP4N80K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP4N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：3
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：10.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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STM |
23+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
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24+ |
N/A |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
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ST |
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SMD |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
8498 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
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