STP4N80K5数据手册ST中文资料规格书
STP4N80K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP4N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：3
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：10.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
398 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST |
1533+ |
TO220 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST |
22+ |
NA |
12000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-TO-220 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
