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STP3N80K5中文资料N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书

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厂商型号

STP3N80K5

功能描述

N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 20:00:00

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STP3N80K5规格书详情

描述 Description

这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

特性 Features

• 业界领先的低RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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