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STP35N60M2-EP中文资料N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STP35N60M2-EP |
| 参数属性 | STP35N60M2-EP 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V TO220 |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-21 20:00:00 |
| 人工找货 | STP35N60M2-EP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STP35N60M2-EP规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• Very low turn-off switching losses
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
简介
STP35N60M2-EP属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STP35N60M2-EP晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STP35N60M2-EP
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.13
- Drain Current (Dc)_max(A)
：26
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：41
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
2353 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
26767 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | |||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
3540 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
