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STP33N60M2中文资料N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP33N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP33N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.125
- Drain Current (Dc)_max(A)
：26
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：45.5
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