STP30NF20数据手册ST中文资料规格书
STP30NF20规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters.
特性 Features
• Gate charge minimized
• Excellent figure of merit (RDS*Qg)
• 100% avalanche tested
• Very low intrinsic capacitances
• Very good manufactuing repeability
技术参数
- 制造商编号
：STP30NF20
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：200
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.075
- Drain Current (Dc)_max(A)
：30
- PTOT_max(W)
：125
- Qg_typ(nC)
：38
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ST |
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