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STP34NM60ND中文资料N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220数据手册ST规格书
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描述 Description
These devices are N-channel FDmesh™ V Power MOSFETs produced using ST’s MDmesh™ V technology, which is based on an innovative proprietary vertical structure. The resulting product boasts an extremely low on-resistance that is unrivaled among silicon-based Power MOSFETs, and superior switching performance with intrinsic fast-recovery body diode.
特性 Features
The world’s best R
DS(on)in TO-220 amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STP34NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-220 |
16672 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
7671 |
原装正品.优势专营 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
