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STP2NK60Z	文件：372.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP2NK60Z	文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages	Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STQ2NK60ZR-AP	文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages	Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK60Z	文件：1.08799 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08799 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD2NK60Z	文件：762.66 Kbytes Page：16 Pages	Zener-Protected SuperMESH MOSFET 文件：762.66 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF2NK60Z	文件：319.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 8.0Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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