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STP31N65M5	文件：1.66434 Mbytes Page：25 Pages	N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP31N65M5	文件：320.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STB31N65M5	文件：1.66434 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.124typ.,22AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,I2PakFP,TO-220andTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB31N65M5	文件：313.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STF31N65M5	文件：295.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STF31N65M5	文件：1.66434 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.124typ.,22AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,I2PakFP,TO-220andTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STFI31N65M5	文件：1.66434 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.124typ.,22AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,I2PakFP,TO-220andTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STL31N65M5	文件：1.26206 Mbytes Page：17 Pages	Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPowerMOSFETbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STW31N65M5	文件：420.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STW31N65M5	文件：1.66434 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.124typ.,22AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FP,I2PakFP,TO-220andTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

详细参数

型号：
STP31N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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