isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1050V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

Ultra low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道1050 V、1 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装

这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低RDS(on) \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件：125.07 Kbytes 页数：10 Pages

Samhop

三合微科

100V N-Channel DTMOS

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WUMC

紫光国微

10A, 100V N-CHANNEL MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC UTT10N10 is a N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide the customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and ultra low gate charge. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.

文件：136.17 Kbytes 页数：3 Pages

UTC

友顺