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STP100N6F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道60 V、4.7 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n\n; • 处于市面上最低的RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法	ST
STP100N6F7	文件：492.43 Kbytes Page：13 Pages	High avalanche ruggedness	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STP100N6F7	文件：320.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STB100N6F7	文件：555.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channel60V,4.7m??typ.,100ASTripFET??F7PowerMOSFETinaD짼PAKpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STF100N6F7	文件：311.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STF100N6F7	文件：419.46 Kbytes Page：13 Pages	N-channel60V,4.6m??typ.,46ASTripFET??F7PowerMOSFETinaTO-220FPpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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