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STP100N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STP100N6F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0056
- Drain Current (Dc)_max(A)
：100
- PTOT_max(W)
：125
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220-3 |
1983 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
询价 | |||
ST |
5413 |
只做正品 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
22+ |
NA |
2663 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
