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STP100N6F7中文资料N沟道60 V、4.7 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP100N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STP100N6F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0056
- Drain Current (Dc)_max(A)
：100
- PTOT_max(W)
：125
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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