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STO68N65DM6数据手册ST中文资料规格书
STO68N65DM6规格书详情
描述 Description
该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比,DM6兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快恢复时间(trr),并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进,采用市场上最高效的开关行为之一,适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
特性 Features
• 快速恢复体二极管
• 与上一代相比,具有更低的单位面积RDS(on)值
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 经过100%雪崩测试
• 非常高的dv / dt耐用性
• 稳压保护
• 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
JST/日压 |
24+ |
连接器 |
88000 |
全新原装现货特价销售 欢迎来电查询 |
询价 | ||
SEWA |
2450+ |
SMD |
8850 |
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JST |
23+ |
11200 |
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JST |
ROHS |
56500 |
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ST |
24+ |
SOP |
2987 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
2500 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
8795 |
询价 | |||
JST/日压 |
2508+ |
/ |
233927 |
一级代理,原装现货 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
- |
9062 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
JSTCORPORATION |
新 |
1684 |
全新原装 货期两周 |
询价 |