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STO68N65DM6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STO68N65DM6

功能描述

N沟道650 V、53 mOhm典型值、55 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO-LL封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:39:00

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STO68N65DM6规格书详情

描述 Description

该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比,DM6兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快恢复时间(trr),并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进,采用市场上最高效的开关行为之一,适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。

特性 Features

• 快速恢复体二极管
• 与上一代相比,具有更低的单位面积RDS(on)值
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 经过100%雪崩测试
• 非常高的dv / dt耐用性
• 稳压保护
• 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能

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