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STO67N60DM6中文资料N-channel 600 V, 48 mOhm typ., 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-LL package数据手册ST规格书
STO67N60DM6规格书详情
描述 Description
该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比，DM6兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进，采用市场上最高效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
特性 Features
• 快速恢复体二极管
• 与上一代相比，具有更低的单位面积RDS(on)值
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 经过100％雪崩测试
• 非常高的dv / dt耐用性
• 稳压保护
• 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能
技术参数
- 制造商编号
：STO67N60DM6
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-LL
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.059
- Drain Current (Dc)_max(A)
：33
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：72.5
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：125
- Qrr_typ(nC)
：600
- Peak Reverse Current_nom(A)
：9.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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