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STO47N60M6中文资料N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-LL封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STO47N60M6

功能描述

N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-LL封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:47:00

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STO47N60M6规格书详情

描述 Description

新型MDmesh™ M6技术融合了众所周知的MDmesh系列中SJ MOSFET的最新技术。意法半导体在其上一代MDmesh器件技术基础上构建了新型M6工艺,不仅改进了RDS(on) 密度,同时提升了开关特性,为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。

特性 Features

• 降低了开关损耗
• 与上一代相比,具有更低的面积值
• 低栅极输入电阻
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
• 高沿面封装
• 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能

技术参数

  • 制造商编号

    :STO47N60M6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-LL

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.08

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :36

  • PTOT_max(W)

    :255

  • Qg_typ(nC)

    :52.2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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