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STN3P6F6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-3 A STripFET F6功率MOSFET，SOT-223封装 This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STN3P6F6	文件：1.09949 Mbytes Page：12 Pages	P-channel 60 V, 0.13 廓 typ., 3 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in a SOT-223 package 文件：1.09949 Mbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS3P6F6	文件：1.25982 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.25982 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STS3P6F6	文件：933.92 Kbytes Page：16 Pages	Low gate drive power losses 文件：933.92 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多STN3P6F6供应商更新时间2025-12-19 14:31:00