STN3P6F6中文资料P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-3 A STripFET F6功率MOSFET，SOT-223封装数据手册ST规格书
STN3P6F6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STN3P6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SOT-223
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-3
- PTOT_max(W)
：2.6
- Qg_typ(nC)
：6.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
SOT223 |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
SOT-223 |
40346 |
ST/意法全新特价STN3P6F6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
SOT-223 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOT-223-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT-223 |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST |
20+ |
SOT-223 |
30252 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
SOT-223 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
SOT-223 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOT-223-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 |
