STN3P6F6数据手册ST中文资料规格书
STN3P6F6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STN3P6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SOT-223
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-3
- PTOT_max(W)
：2.6
- Qg_typ(nC)
：6.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
SOT-223-4(TO-261-4) |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
12500 |
只做全新原装公司现货特价 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2447 |
SOT-223 |
105000 |
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
询价 | ||
意法半导体/ST |
22+ |
SOT223-3L |
26480 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT223 |
37308 |
只做原装 公司现货库存 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-223 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2614 TO261AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
STM |
24+ |
SOT-223 |
16500 |
只做原装正品现货 假一赔十 |
询价 |
