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STL160N4F7中文资料N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
STL160N4F7规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STL160N4F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0014
- Drain Current (Dc)_max(A)
：260
- PTOT_max(W)
：187
- Qg_typ(nC)
：100
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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