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STI6N95K5数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STI6N95K5

参数属性

STI6N95K5 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET

功能描述

N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package
NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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STI6N95K5规格书详情

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technologybased on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramaticreduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superiorpower density and high efficiency.

特性 Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

简介

STI6N95K5属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STI6N95K5晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STI6N95K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :I2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :950

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :1.25

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :9

  • PTOT_max(W)

    :90

  • Qg_typ(nC)

    :13

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