STI6N95K5数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
STI6N95K5 |
参数属性 | STI6N95K5 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET |
功能描述 | N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package |
封装外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
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STI6N95K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technologybased on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramaticreduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superiorpower density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
简介
STI6N95K5属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STI6N95K5晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:STI6N95K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:I2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:950
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:1.25
- Drain Current (Dc)_max(A)
:9
- PTOT_max(W)
:90
- Qg_typ(nC)
:13
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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