STI6N80K5中文资料N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAK package数据手册ST规格书
STI6N80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低RDS(on)
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STI6N80K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:I2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:1.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
:4.5
- PTOT_max(W)
:110
- Qg_typ(nC)
:7.5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
I2PAK |
16900 |
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ST/意法 |
2223+ |
TO-262 |
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ST/意法 |
2023+ |
TO-262 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-262-3 |
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原装正品 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-262 |
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ST |
24+ |
TO-262 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
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ST(意法半导体) |
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TO-262(I2PAK) |
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ST/意法 |
24+ |
TO-262-3 |
1000 |
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