STI6N80K5数据手册ST中文资料规格书
STI6N80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低RDS（on）
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STI6N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.5
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：7.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-262 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
TO-262 |
32360 |
ST/意法全新特价STI6N80K5即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
I2PAK |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
询价 | ||
ST |
25+ |
I2PAK |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-262-3(I2PAK) |
8600 |
正品原装,正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83269006邹小姐 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法 |
2223+ |
TO-262 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST |
24+ |
I2PAK |
16900 |
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询价 |
