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STGWA80H65FBAG	文件：257 Kbytes Page：12 Pages	Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C High-speedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A Tightparametersdistribution Saferparalleling Lowthermalresistance Applications PFC Highfrequencyconverters Descriptio	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C High-speedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A Tightparametersdistribution Saferparalleling Lowthermalresistance Applications PFC Highfrequencyconverters Descriptio

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产品属性

产品编号：
STGWT80H65DFB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，80A
开关能量：
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
84ns/280ns
测试条件：
400V，80A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

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