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STGWT40H65FB中文资料Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STGWT40H65FB |
| 参数属性 | STGWT40H65FB 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | STGWT40H65FB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGWT40H65FB规格书详情
特性 Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• High speed switching series
• Minimized tail current
• Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V(typ) @ IC= 40A
• Safe paralleling
• Tight parameter distribution
• Low thermal resistance
简介
STGWT40H65FB属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWT40H65FB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGWT40H65FB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，40A
- 开关能量：
498mJ（开），363mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/142ns
- 测试条件：
400V，40A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1480 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
13+ |
TO-3P |
42 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STM |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
ST/意法 |
2450+ |
TO3P |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST原装 |
24+ |
TO-3P |
30980 |
原装现货/放心购买 |
询价 | ||
ST原装 |
25+23+ |
TO-3P |
22857 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
