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STGP30H60DFB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

STGP30H60DFB参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    STGP30H60DFB

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ST(意法)

  • 库存数量:

    500000

  • 产品封装:

    TO-220-3

  • 生产批号:

    25+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-10-25 15:00:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:STGP30H60DFB品牌:ST(意法)

源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

STGP30H60DFB是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ST(意法)/STMicroelectronics生产封装TO-220-3的STGP30H60DFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    STGP30H60DFB

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体集团

  • 内容页数:

    21 页

  • 文件大小:

    1753.73 kb

  • 资料说明:

    Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :STGP30H60DFB

  • 生产厂家

    :意法

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :260

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • IF_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.55

  • VF_typ(V)

    :2

  • Qg_typ(nC)

    :149

  • Eon_typ(mJ)

    :0.383

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.293

  • Err_typ(µJ)

    :104

  • Qrr_typ(nC)

    :384

供应商

  • 企业:

    万三科技(深圳)有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    阮海燕

  • 手机:

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