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STGW19NC60HD

19A-600V-veryfastIGBTE[

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGW19NC60HD

19A-600V-veryfastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGW19NC60W

19A,600V-ultrafastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features Highfrequencyoperation LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) Applications Highfrequencyi

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意法半导体意法半导体集团

STGW19NC60WD

N-channel600V-19A-TO-220-TO-247UltrafastPowerMESH??IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGWA19NC60HD

31A,600V,veryfastIGBTwithUltrafastdiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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产品属性

  • 产品编号:

    STGP19NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    165µJ(开),255µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/105ns

  • 测试条件:

    480V,12A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 35A 125W TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220
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STMicroelectronics
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更多STGP19NC60KD供应商 更新时间2025-5-19 23:00:00