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STGP10M65DF2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGP10M65DF2 |
参数属性 | STGP10M65DF2 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 10A TO-220AB |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
945.33 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-26 22:59:00 |
人工找货 | STGP10M65DF2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STGP10M65DF2规格书详情
STGP10M65DF2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP10M65DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGP10M65DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,10A
- 开关能量:
120µJ(开),270µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/91ns
- 测试条件:
400V,10A,22 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
IGBT 650V 10A TO-220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
54685 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法 |
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N |
30000 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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