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STGIPQ4C60T-HZ数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

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厂商型号

STGIPQ4C60T-HZ

参数属性

STGIPQ4C60T-HZ 封装/外壳为26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm);包装为托盘;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:SLLIMM NANO 2ND SERIES IPM, 3-PH

功能描述

SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 6 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT
SLLIMM NANO 2ND SERIES IPM, 3-PH

封装外壳

26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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STGIPQ4C60T-HZ规格书详情

描述 Description

另一系列的SLLIMM(小型低损耗智能成型模块)nano采用简单、坚固耐用的设计,可提供紧凑型高性能交流电机驱动。它包含6个优化型短路保护沟槽栅场截止IGBT(带续流二极管)和3个半桥 HVIC(用于栅极驱动),以优化的开关速度实现较低的电磁干扰(EMI)。该封装为内置式电机应用以及其它组装空间受限的低功耗应用中的热性能和紧凑性做了优化,可以更好、更轻松地通过螺钉固定到散热器上。该IPM包括一个运算放大器(完全不受约束),和一个比较器(可用于设计快速有效的保护电路)。SLLIMM是意法半导体的商标。

特性 Features

• IPM 6 A、600 V的3相IGBT逆变器桥包括3个用于栅极驱动和续流二极管的控制IC
• 3.3 V、5 V、15 V TTL/CMOS输入比较器,具有迟滞和下拉/上拉电阻
• 集成自举二极管
• 经优化,降低电磁干扰
• 欠压锁定
• 短路坚固保护TFS IGBT
• 关断功能
• 互锁功能
• 用于高级电流感应的运算放大器
• 比较器,用于过流故障保护
• 隔离额定值为1500 Vrms/min。
• NTC(UL 1434 CA 2和UL 1434 CA 4)
• 最高±2 kV ESD保护(HBM C = 100 pF,R = 1.5 kΩ)
• Ul认可:UL 1557,文件E81734

简介

STGIPQ4C60T-HZ属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的STGIPQ4C60T-HZ功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGIPQ4C60T-HZ

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :N2DIP-26L

  • Breakdown Voltage_max(V)

    :600

  • Collector Current_max(@ Tc=25°C)(A)

    :6

  • Current Rating_max

    :9

  • VCE(sat)_typ(@ IC Characterization)(V)

    :1.79

  • Switching Frequency_max(kHz)

    :20

  • PTOT_nom(W)

    :12.5

  • Topology

    :3-Phase Inverter

  • Substrate Material

    :Full Molded

  • Embedded power switches

    :IGBTs

  • Logical Function

    :Positive inputs

  • Other Features

    :Built-inNTC

  • Protection Option Type

    :Undervoltage lockout

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