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STGIK50CH65T中文资料SLLIMM高功率IPM,3相逆变器,50 A、650 V短路保护IGBT数据手册ST规格书

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厂商型号

STGIK50CH65T

参数属性

STGIK50CH65T 封装/外壳为30-PowerDIP 模块;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:SLLIMM HIGH POWER IPM, 3-PHASE I

功能描述

SLLIMM高功率IPM,3相逆变器,50 A、650 V短路保护IGBT
SLLIMM HIGH POWER IPM, 3-PHASE I

封装外壳

30-PowerDIP 模块

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-18 16:50:00

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STGIK50CH65T规格书详情

描述 Description

该新型IPM(智能电源模块)属于高功率SLLIMM(小型低损耗智能集成模块)系列,采用简单、坚固耐用的设计,可提供紧凑型高性能交流电机驱动。它将驱动控制与改进过的短路保护650 V沟槽栅场截止IGBT相结合,非常适用于三相逆变器电机驱动。

特性 Features

• IPM 650 V@50 A 3相逆变器桥(包括用于栅极驱动的控制IC)
• 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
• 栅极驱动欠压锁定
• 内置自举二极管
• 短路保护
• 关断输入/故障输出
• 单独的开路发射极输出
• 用于故障保护的比较器
• 超快速软恢复二极管
• 全隔离封装
• 隔离额定值2500 Vrms/min
• 100 kΩ NTC用于温度监控

简介

STGIK50CH65T属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由ST制造生产的STGIK50CH65T功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGIK50CH65T

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SDIPHP-30L

  • Breakdown Voltage_max(V)

    :650

  • Collector Current_max(@ Tc=25°C)(A)

    :50

  • Switching Frequency_max(kHz)

    :20

  • Topology

    :3-Phase Inverter

  • Substrate Material

    :DBC

  • Embedded power switches

    :IGBTs

  • Logical Function

    :Positive inputs

  • Other Features

    :Built-inNTC

  • Protection Option Type

    :Undervoltage lockout

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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