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STGIPN3H60A中文资料SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM,3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥数据手册ST规格书

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厂商型号

STGIPN3H60A

参数属性

STGIPN3H60A 封装/外壳为26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:IGBT IPM MODULE 3A 600V NDIP-26L

功能描述

SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM,3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥
IGBT IPM MODULE 3A 600V NDIP-26L

封装外壳

26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:30:00

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STGIPN3H60A规格书详情

描述 Description

This intelligent power module implements a compact, high performance AC motor drive in a simple, rugged design. It is composed of six IGBTs with freewheeling diodes and three half-bridge HVICs for gate driving, providing low electromagnetic interference (EMI) characteristics with optimized switching speed. The package is optimized for thermal performance and compactness in built-in motor applications, or other low power applications where assembly space is limited. This IPM includes an operational amplifier, completely uncommitted, and a comparator that can be used to design a fast and efficient protection circuit.

特性 Features

• IPM 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and freewheeling diodes
• Optimized for low electromagnetic interferences
• VCE(sat) negative temperature coefficient
• 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL input comparators with hysteresis and pull-down/pull-up resistors
• Undervoltage lockout
• Internal bootstrap diode
• Interlocking function
• Optimized pinout for easy board layout

简介

STGIPN3H60A属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的STGIPN3H60A功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGIPN3H60A

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :NDIP-26L

  • Breakdown Voltage_max(V)

    :600

  • Collector Current_max(@ Tc=25°C)(A)

    :3

  • Current Rating_max

    :18

  • VCE(sat)_typ(@ IC Characterization)(V)

    :2.15

  • Switching Frequency_max(kHz)

    :20

  • PTOT_nom(W)

    :8

  • Topology

    :3-phase inverter

  • Substrate Material

    :Full Molded

  • Embedded power switches

    :IGBTs

  • Logical Function

    :Positive inputs

  • Other Features

    :Bootstrap diode

  • Protection Option Type

    :Undervoltage lockout

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