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STGF3HF60HD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
STGF3HF60HD |
参数属性 | STGF3HF60HD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 7.5A TO220FP |
功能描述 | 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 14:17:00 |
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STGF3HF60HD规格书详情
描述 Description
These devices are based on a new advanced planar technology concept to yield an IGBT withmore stable switching performance (Eoff) versus temperature, as well as lowerconduction losses.
特性 Features
• Minimal tail current
• Low conduction and switching losses
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
简介
STGF3HF60HD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGF3HF60HD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGF3HF60HD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.95V @ 15V,1.5A
- 开关能量:
19µJ(开),12µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
11ns/60ns
- 测试条件:
400V,1.5A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220FP
- 描述:
IGBT 600V 7.5A TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
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