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STGF10M65DF2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGF10M65DF2 |
| 参数属性 | STGF10M65DF2 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220FP package |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-220FP / TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
989.1 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-30 15:32:00 |
| 人工找货 | STGF10M65DF2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGF10M65DF2规格书详情
STGF10M65DF2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGF10M65DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGF10M65DF2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
M
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，10A
- 开关能量：
120µJ（开），270µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/91ns
- 测试条件：
400V，10A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220FP
- 描述：
IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268846邹小姐 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO220 |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO220FP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法 |
22+ |
TO220 |
9000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220FP |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO220 |
2177 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST(意法) |
25+ |
TO-220-3 整包 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
SMD |
12500 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 |
