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STGD7NB60ST4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
STGD7NB60ST4 |
| 参数属性 | STGD7NB60ST4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 15A 55W DPAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 文件大小 |
289.33 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-30 20:00:00 |
| 人工找货 | STGD7NB60ST4价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STGD7NB60ST4规格书详情
STGD7NB60ST4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGD7NB60ST4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix S identifies a family optimized to achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (
■ HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGE DRIVEN)
■ VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX T4)
APPLICATIONS
■ LIGHT DIMMER
■ STATIC RELAYS
■ MOTOR CONTROL
产品属性
更多- 产品编号:
STGD7NB60ST4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.6V @ 15V,7A
- 开关能量:
3.5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
700ns/-
- 测试条件:
480V,7A,1 千欧,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 15A 55W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1149 |
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询价 | ||
ST |
03+ |
TO-252 |
1149 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST |
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ST |
25+ |
TO252DPAK |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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20000 |
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ST |
2025+ |
TO-252 |
4835 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
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ST(意法) |
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询价 |

