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STGDL6NC60D分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGDL6NC60D |
参数属性 | STGDL6NC60D 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK |
功能描述 | 600 V - 6 A hyper fast IGBT |
文件大小 |
523.59 Kbytes |
页面数量 |
19 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-24 16:49:00 |
STGDL6NC60D规格书详情
STGDL6NC60D属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGDL6NC60D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGDL6NC60DT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.9V @ 15V,3A
- 开关能量:
46.5µJ(开),23.5µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
6.7ns/46ns
- 测试条件:
390V,3A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 13A 50W DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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