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STGDL6NC60D分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGDL6NC60D
厂商型号

STGDL6NC60D

参数属性

STGDL6NC60D 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK

功能描述

600 V - 6 A hyper fast IGBT
IGBT 600V 13A 50W DPAK

文件大小

523.59 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 16:49:00

STGDL6NC60D规格书详情

STGDL6NC60D属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGDL6NC60D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGDL6NC60DT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    46.5µJ(开),23.5µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    6.7ns/46ns

  • 测试条件:

    390V,3A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 50W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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