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STGB3NB60SDT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 70W D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGD3NB60SDT4	文件：305.96 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT 文件：305.96 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STGD18N40LZT4功率三极管	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

产品属性

产品编号：
STGB3NB60SDT4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，3A
开关能量：
1.15mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
125ns/3.4µs
测试条件：
480V，3A，1 千欧，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 6A 70W D2PAK

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